半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-133173
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092740
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】遠紫外線リソグラフィー処理のような最先端のリソグラフィー処理では、分解能をより高める技術がなければ、半導体集積回路のデザインルールを四分の一ミクロン以下にすることはできない。しかし、分解能を高めた場合、焦点深度が悪化する。例えば、レンズの開口数NAを大きくするに従い、ウェハ全体に焦点を適切に合わせることが困難となる。これに対して、焦点深度などのプロセスウィンドウを犠牲とすることなく分解能を高めることが可能な技術を提供する。【解決手段】加工すべき基板100 を供給して、この基板100 に複合反射防止膜102 を形成する。この複合反射防止膜102 の上に厚さが850ナノメートル未満でパターンを構成するレジスト104 を形成し、このパターンを構成しているレジスト104 をマスクとして用いて基板100 を加工する。

請求項（抜粋）：

加工すべき基板を供給する工程と、この基板に複合反射防止膜を形成する工程と、この複合反射防止膜に厚さが850ナノメートル未満で、パターンを構成するレジストを形成する工程と、前記パターンを構成するレジストをマスクとして基板を加工する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503

FI (2件)：

H01L 21/30 574 , G03F 7/11 503

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭60-117723
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-031021 出願人：株式会社東芝
特開平2-058221

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審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-031021 出願人：株式会社東芝
特開昭60-117723
特開昭60-117723

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