特許

J-GLOBAL ID：200903093535302069

相補能動画素センサ・セル

発明者： テレンス・ビィ・フック ,  ジェフェリー・ビィ・ジョンソン ,  ホン-サム・ピィ・ウォン・シィ・グレートブリテン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-234088
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121732
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 画素セルのサイズが低減されるビデオ・イメージングのための能動画素セル素子を提供することである。【解決手段】 相補能動画素センサ・セル及びそれを形成及び使用する方法が提供される。相補能動画素センサ・セルが所与の光量子に対する有効信号を約2倍にする。本発明の素子は、衝突光子により生成される正孔を相補能動画素センサ・セル回路内で使用する。2つの能動画素センサ・セル回路、すなわちNFET回路及び相補PFET回路が形成され、フォトダイオードと一緒に使用される。NFET回路は電子電流を捕獲する。PFET回路は正孔電流を捕獲する。電流の合計は、類似のサイズのフォトダイオード領域を使用する従来の能動画素センサ回路の場合の約2倍である。

請求項（抜粋）：

衝突する電磁気に応答して電荷を生成する光感応素子と、前記光感応素子に結合され、第1のタイプの生成電荷を前記光感応素子から引き出す第1の素子と、前記光感応素子に結合され、第2のタイプの生成電荷を前記光感応素子から引き出す第2の素子とを含む、能動画素センサ・セル。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/14

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/14 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭50-156837
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-300355   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-180475