特許
J-GLOBAL ID：200903093541437855

半導体装置およびその製造方法

発明者：
武田 健一

武田 健一 について

, 
藤原 剛

藤原 剛 について

, 
今井 俊則

今井 俊則 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184614
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021509
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】寄生容量が低く、かつ、熱処理による抵抗値の変動が小さい抵抗素子を有する半導体装置を得ることのできる技術を提供する。【解決手段】スパッタリングターゲット材料としてタンタルを用い、スパッタリングガスとしてアルゴンと窒素との混合ガスを用いた反応性直流スパッタリング法により、窒化タンタル膜からなる厚さ20nm、窒素濃度30原子%未満の第1抵抗層5a、及び窒化タンタル膜からなる厚さ5nm、窒素濃度30原子%以上の第2抵抗層5bを順次形成した後、第1及び第2抵抗層5a,5bを加工して抵抗素子R1を形成する。窒素濃度が30原子%以上の上部領域を設けることにより、配線工程において熱負荷が与えられても抵抗素子R1の抵抗変動率を1%未満に抑えることができる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基板の主面上に窒素とタンタルとを主要な構成元素とする抵抗素子を有する半導体装置であって、前記抵抗素子の前記基板と反対側に位置する上部領域の窒素濃度が30原子%以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285
FI (4件)：
H01L27/04 P ,  H01L21/88 R ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 S
Fターム (62件)：
4M104BB32 ,  4M104BB37 ,  4M104BB38 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104DD71 ,  4M104EE17 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL06 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ39 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ64 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033VV09 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F038AR07 ,  5F038AR13 ,  5F038AR28 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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