特許

J-GLOBAL ID：200903093562576642

単結晶の製造方法

発明者： 南 俊郎
出願人/特許権者： コバレントマテリアル株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-026259
公開番号（公開出願番号）：特開2008-189523
出願日： 2007年02月06日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

【課題】全長に亘り所定濃度以上の高酸素濃度を有すると共に、面内酸素濃度分布が均一な単結晶を得ることのできる単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶Cを引き上げる際、単結晶Cと融液Mとの境界面である固液界面M2から、少なくとも所定深さd1までの融液内の領域において、単結晶の引上げ軸方向に沿って下方から上方に向かう磁場強度の減少率を、0.4ガウス/mm以上とした状態で、ルツボ3を0.2rpm〜5.0rpmの範囲の回転速度で回転させ、単結晶Cの回転方向をルツボ3の回転方向とは逆方向に8rpm以上の回転速度で回転させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炉体内のルツボに溶融されたシリコン融液に磁場を印加し、チョクラルスキー法によって前記ルツボから単結晶を引上げる単結晶の製造方法であって、 前記単結晶を引き上げる際、 前記単結晶と前記融液との境界面である固液界面から、少なくとも所定深さまでの前記融液内の領域において、前記単結晶の引上げ軸方向に沿って下方から上方に向かう磁場強度の減少率を、0.4ガウス/mm以上とした状態で、 前記ルツボを0.2rpm〜5.0rpmの範囲の回転速度で回転させ、 前記単結晶の回転方向を前記ルツボの回転方向とは逆方向に8rpm以上の回転速度で回転させることを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/20

FI (3件)：

C30B29/06 502G ,  C30B29/06 502J ,  C30B15/20

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH06 ,  4G077EH08 ,  4G077EJ02 ,  4G077HA12 ,  4G077PF42 ,  4G077RA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-361235   出願人：三菱住友シリコン株式会社