特許
J-GLOBAL ID：200903019708622433
単結晶成長方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳舘 隆彦
, 吉田 正二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-361235
公開番号（公開出願番号）：特開2004-189559
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】鞍型コイルを用いたHMCZ法において、坩堝回転数を操作せずに酸素濃度を制御することにより、坩堝回転数を低位に抑制する。坩堝回転数を高めたときに問題となる酸素濃度の面内分布の悪化や有転位化などを回避する。【解決手段】坩堝を挟んで対向配置され、チャンバの外形に沿って湾曲した鞍型形状のコイルにより、坩堝内の原料融液に水平磁場を印加しつつ、原料融液から単結晶を引上げる。単結晶中の酸素濃度を制御するために、前記コイルの上下方向位置を変更する。具体的には、単結晶中の酸素濃度を高くする場合は前記コイルの上下方向位置を低く設定し、単結晶中の酸素濃度を低くする場合は前記コイルの上下方向位置を高く設定する。単結晶の引上げ中に、前記コイルの上下方向位置を結晶引上げの進行度に対応して変更することにより、引き上げ軸方向における酸素濃度分布を均一化する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
坩堝を挟んで対向配置され、チャンバの外形に沿って湾曲した鞍型形状のコイルにより、前記坩堝内の原料融液に水平磁場を印加しつつ、前記原料融液から単結晶を引上げる単結晶成長方法において、前記単結晶中の酸素濃度を制御するために、前記コイルの上下方向位置を変更することを特徴とする単結晶成長方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C30B15/20
, C30B29/06 502G
, C30B29/06 502H
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EH05
, 4G077EH10
, 4G077EJ02
, 4G077HA12
, 4G077PF55
