特許
J-GLOBAL ID：200903093572177690

ITOスパッタリングターゲット

発明者：
内海 健太郎

内海 健太郎 について

, 
黒澤 聡

黒澤 聡 について


出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153864
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345325
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：
【要約】【課題】 ノジュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜方法を用いた場合においても、ターゲット表面に発生するノジュール量を低減できるITOスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体を、スズを3〜15重量%含有するインジウム-スズ半田により無酸素銅等の金属製バッキングプレートに接合してなるITOスパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体を、インジウム-スズ半田により金属製バッキングプレートに接合してなるITOスパッタリングターゲット。
FI (2件)：
C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 C
Fターム (5件)：
4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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