特許

J-GLOBAL ID：200903093572879953

半導体ウエーハの洗浄方法及び酸化膜の形成方法

発明者： チュル ジュ ワング
出願人/特許権者： チュル ジュ ワング
代理人 (1件)： 成瀬 勝夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-218565
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270434
出願日： 1997年08月13日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 ウエーハ表面から自然酸化膜と不純物粒子を比較的低温で効果的に除去する方法及び比較的低温でウエーハ表面に良質の酸化膜を成長させる方法を提供する。【解決手段】 不要な酸化膜及び不純物粒子の除去は、比較的低温の真空雰囲気下に半導体ウエーハに、プラズマによりイオン化される水素気体及び水素含有気体を印可することにより達成され、また、酸化膜の形成は、真空雰囲気下に比較的低温でプラズマを用いてO2 、N2 O又はNO2 を半導体ウエーハに印可することにより達成される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハから不要な酸化膜及び不純物粒子を除去するための方法であり、真空及び比較的低温雰囲気下において、プラズマにより活性化された水素気体を半導体ウエーハに印可することを特徴とする半導体ウエーハの洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-260531
  
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-237764   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所