特許
J-GLOBAL ID：200903093574491235
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-303390
公開番号（公開出願番号）：特開2006-111510
出願日： 2004年10月18日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 新規な手法にて高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶7への原料ガスの供給により種結晶7から結晶が成長するようにして成長雰囲気温度を結晶成長温度にまで昇温する。そして、成長雰囲気温度を結晶成長温度に保持しつつ原料ガスに加えて種結晶7に対し供給したエッチングガスにより少なくとも種結晶7から成長した結晶を除去して種結晶7の清浄面を露出させる。さらに、成長雰囲気温度を結晶成長温度に保持しつつ原料ガスに加えて供給しているエッチングガスを徐々に減量していき種結晶7の清浄面から結晶成長を開始させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
結晶成長温度雰囲気下において原料となるガスを炭化珪素種結晶(7)に供給して当該炭化珪素種結晶(7)から炭化珪素単結晶(20)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
炭化珪素種結晶(7)への原料となるガスの供給により炭化珪素種結晶(7)から結晶(21)が成長するようにして成長雰囲気温度を結晶成長温度にまで昇温する第1工程と、
成長雰囲気温度を結晶成長温度に保持しつつ原料となるガスに加えて炭化珪素種結晶(7)に対し供給したエッチングガスにより少なくとも炭化珪素種結晶(7)から成長した結晶(21)を除去して炭化珪素種結晶(7)の清浄面を露出させる第2工程と、
成長雰囲気温度を結晶成長温度に保持しつつ原料となるガスに加えて供給している前記エッチングガスを徐々に減量していき前記炭化珪素種結晶(7)の清浄面から結晶成長を開始させる第3工程と、
を有することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077EE03
, 4G077EG15
, 4G077EG25
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA06
