特許
J-GLOBAL ID：200903093287138036
CVDによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-504350
公開番号（公開出願番号）：特表平11-508531
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：
【要約】化学蒸着によって基板(13)上にSiC、第三族-窒化物またはそれらの合金である目的物をエピタキシアル成長させる装置は、前記基板を受容する室(18)を包囲する円周壁(8)を有するサセプタ(7)、および前記円周サセプタ壁そしてそれにより前記基板および成長させるために供給手段(5)によって前記基板へと供給される混合ガスを加熱する手段(11)を有する。前記加熱手段(11)は、それから被成長材料の昇華が相当増進し始める温度レベルより高く前記サセプタ(7)およびそれにより前記基板(13)を加熱するように配列され、そして前記供給手段は、正の成長が起こるような組成を以てかつそのような率において前記混合ガスを前記サセプタ内に供給するように配列される。
請求項（抜粋）：
化学蒸着によって基板(13、13′)上にSiC、第三族-窒化物またはそれらの合金である目的物をエピタキシアル生長させる装置にして、前記基板を受容する室(18)を包囲する円周壁(8)を有するサセプタ(7、7′)、および前記円周サセプタ壁そしてそれにより前記基板および供給手段によって前記基板へ供給される基板生長用混合ガスを加熱する手段(11)を有するものであって、前記加熱手段(11)が、それから被生長材料の昇華が相当増進し始める温度レベルより高く前記サセプタ(7)およびそれにより前記基板(13、13′)を加熱するように配列されていることと、前記供給手段が、正の生長が起こるような組成を以てかつそのような率において前記混合ガスを前記サセプタ内に供給するように配列されていることとを特徴とする装置。
IPC (8件)：
C30B 29/36
, C30B 25/02
, C30B 25/08
, C30B 25/10
, C30B 25/14
, C30B 25/16
, C30B 29/38
, H01L 21/205
C30B 29/36 A
, C30B 25/02 Z
, C30B 25/08
, C30B 25/10
, C30B 25/14
, C30B 25/16
, C30B 29/38 D
, H01L 21/205
