半導体装置の配線の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018729
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230993
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】半導体装置のAl配線のアフターコロージョンを防止し、長期的に信頼性が高い微細Al配線の加工方法を提供する。【構成】チャンバ内で、マスク酸化膜106をマスクとして、TiN層105、AlCu合金層104、TiN/Ti層103からなる金属膜をドライエッチングした後に、この金属膜を大気にさらすことなく、引き続きBCl3プラズマ処理を行なって、金属膜に付着する側壁保護膜107を除去する。次いで、真空内搬送によりウエハを別のチャンバーに搬送し、そこで、酸素および水素を含みハロゲンを含まないガスプラズマによるダウンフロープラズマ処理を行なって、Al配線の側壁表面に残留する塩素を実質的に完全に除去することで、塩素に起因するアフターコロージョンを防止する。

請求項（抜粋）：

基板の主面上部にアルミニウム又はアルミニウム合金を主とする金属膜を形成する工程と、該金属膜上に酸化膜を形成する工程と、該酸化膜を異方性エッチングして酸化膜パターンに形成する工程と、塩素を含むガスプラズマにより前記酸化膜パターンをマスクとして前記金属膜を異方性エッチングする工程と、該異方性エッチングに引き続き、前記金属膜を大気にさらすことなく、三塩化ホウ素および三臭化ホウ素の少なくとも一種類を含むガスプラズマに前記金属膜をさらす工程とを含むことを特徴とする半導体装置の配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (9件)

エツチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-208161 出願人：ソニー株式会社
特公平1-023944
特開昭60-033367

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