特許

J-GLOBAL ID：200903093590860305

パワーモジュール用基板及びその製造方法並びにパワーモジュール

発明者： 長瀬 敏之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-205659
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065144
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】熱サイクル時の接合信頼性を向上することができるパワーモジュール用基板及びその製造方法並びにパワーモジュールを提供することにある。【解決手段】セラミックス基板1の表面に回路層2が配置され、裏面に金属層3が配置されるパワーモジュール用基板4の製造方法であって、前記金属層3は、アルミニウム純度99.5wt%以上99.9wt%未満の第1層3aと、アルミニウム純度99.99wt%以上の第2層3bとを含む2以上の層を積層してなるクラッド材により形成されており、前記クラッド材の前記第1層3aを、前記セラミックス基板1側と反対側の面として、これらセラミックス基板1と金属層3とを、互いにろう付けにより接合することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セラミックス基板の表面に回路層が配置され、裏面に金属層が配置されるパワーモジュール用基板の製造方法であって、 前記金属層は、アルミニウム純度99.5wt%以上99.9wt%未満の第1層と、アルミニウム純度99.99wt%以上の第2層とを含む2以上の層を積層してなるクラッド材により形成されており、 前記クラッド材の前記第1層を、前記セラミックス基板側と反対側の面として、 これらセラミックス基板と金属層とを、互いにろう付けにより接合することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/373

FI (2件)：

H01L23/36 D ,  H01L23/36 M

Fターム (10件)：

5F136BB04 ,  5F136BB11 ,  5F136BC05 ,  5F136DA13 ,  5F136EA14 ,  5F136FA02 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18 ,  5F136FA75

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-253076   出願人：電気化学工業株式会社