特許

J-GLOBAL ID：200903093596595298

MOSトランジスタの製造方法

発明者： 深澤 智好
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151113
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340862
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】高融点金属膜でなるゲート電極を有するMOSトランジスタの製造に当たり工程数の削減をはかる。【解決手段】層間絶縁膜11にソースコンタクト開口17A、ドレインコンタクト開口18A及びゲートコンタクト開口14Aを設け、水素プラズマ処理を行ってゲート引き出し電極9表面の酸化物層10を除去する。

請求項（抜粋）：

表面部にソース領域及びドレイン領域を有する半導体基板上に高融点金属膜でなるゲート電極とこれを延長したゲート引き出し電極を形成し、層間絶縁膜を形成し前記ソース領域、ドレイン領域及びゲート引き出し電極にそれぞれ達するソースコンタクト開口、ドレインコンタクト開口及びゲートコンタクト開口を形成する工程と、前記ゲートコンタクト開口に露出したゲート引き出し電極表面の酸化物層を水素処理もしくは水素プラズマ処理により還元した後ソース配線、ドレイン配線及びゲート配線を形成する工程とを有することを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (3件)

• バリアメタルの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-236387   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭56-150866
  
• 特開昭62-224077