特許

J-GLOBAL ID：200903093602075617

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 橋本 武夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153734
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007924
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 コストの増加を招くことなく、高い生産性で少量多品種製品を製造可能とする。【構成】 工程S1で半導体基板に対するトランジスタの形成と配線層用のアルミニウム被膜の形成とからなる成膜工程を行い、工程S2でその半導体基板上に遠紫外光及び電子線各々に感光性を有するレジストを塗布する。工程S3でKrFエキシマレーザを露光光源とする露光装置を用いて同一ロットに含まれる複数品種に対して最大限共通する配線パターンを転写する。工程S4で複数品種各々の独自パターンを露光する電子線描画を電子線描画装置で行い、それに続けて工程S5の半導体基板の現像工程と工程S6のエッチング工程とを行う。

請求項（抜粋）：

複数種類の半導体基板各々に共通する製造工程を含む半導体装置の製造装置であって、遠紫外光及び電子線各々に感光性を有する感光性有機材料被膜を前記半導体基板に形成する手段と、前記遠紫外光で前記感光性有機材料被膜に所定パターンを露光する手段と、前記所定パターンが露光された前記感光性有機材料被膜に前記電子線で他のパターンを露光する手段と、前記感光性有機材料被膜が前記遠紫外光及び前記電子線各々で露光された前記半導体基板を現像する手段とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/30 541 W ,  H01L 21/30 502 A ,  H01L 21/30 564 Z ,  H01L 21/30 569 Z ,  H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-176150   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-278230