特許

J-GLOBAL ID：200903093614650935

MOSトランジスタおよびその製造方法

発明者： 大野 晃計 ,  高橋 光俊 ,  土屋 敏章
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066150
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219528
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 ボディ領域をフローティングの状態で使用しても寄生バイポーラトランジスタの動作を抑制でき、これによって高集積化および高速化が両立できるMOSトランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1導電形のボディ領域10の両側に設けた第2導電形のソース領域8およびドレイン領域9の内部に、それぞれ少数キャリア再結合層11,12を設ける。そして、れらの少数キャリア再結合層11,12を、ソース接合面13またはドレイン接合面14から、少数キャリアの拡散長以内の距離Dに配置する。

請求項（抜粋）：

埋め込み絶縁膜上に形成された単結晶半導体からなる第1導電形のボディ領域と、このボディ領域を挾むように前記埋め込み絶縁膜上に形成された単結晶半導体からなる第2導電形のソース領域およびドレイン領域と、前記ボディ領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ソース領域内に前記ボディ領域と所定距離離れたところから前記埋め込み酸化膜に接して形成された結晶欠陥からなる少数キャリア再結合領域とを備えたことを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/84

FI (3件)：

H01L 29/78 626 B ,  H01L 21/84 ,  H01L 29/78 616 V

引用特許：

出願人引用 (3件)

• SOI型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262650   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭61-043475
  
• 特開昭64-025573
  

審査官引用 (3件)

• SOI型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262650   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭61-043475
  
• 特開昭64-025573