特許

J-GLOBAL ID：200903093615427245

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 今井 正芳
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080176
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258405
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】基板の表面上に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対し選択的にエッチングする場合に、高い選択比でエッチングすることができ、それほど厳しい装置性能や制御が求められることがない方法を提供する。【解決手段】加熱されたリン酸水溶液14を処理槽10内に貯留し、リン酸水溶液14中に基板Wを浸漬させて、基板の表面上に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対し選択的にエッチングする場合に、処理槽10内に貯留されたリン酸水溶液14にヘキサフルオロケイ酸水溶液を添加して、リン酸水溶液14中にケイ素成分とフッ素成分とを含有させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面上に少なくともシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とが形成された基板を、リン酸を含む処理液中に浸漬させて、前記シリコン窒化膜を前記シリコン酸化膜に対し選択的にエッチングする基板処理方法において、 前記処理液中にケイ素成分とフッ素成分とを含有させることを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/308 E ,  H01L21/306 J

Fターム (3件)：

5F043AA35 ,  5F043BB23 ,  5F043EE23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板の表面処理方法および表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-350022   出願人：大日本スクリーン製造株式会社