特許

J-GLOBAL ID：200903093616010852

半導体装置およびその製造方法

発明者： 酒井 忠司 ,  鈴木 健聡 ,  張 利 ,  小野 富男 ,  村上 泰淳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063745
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148280
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】従来よりも機械的強度および発光強度が高い多孔質シリコン発光素子を提供すること。【構成】不純物濃度が1×1019cm-3以上、1×1021cm-3以下、表面に膜厚0.02μm以上、10μm以下の熱酸化膜が形成されたp++型熱酸化多孔質シリコン層22と、このp++型熱酸化多孔質シリコン層22に設けられたITO電極23とを備えている。

請求項（抜粋）：

不純物濃度が1×1019cm-3以上、1×1021cm-3以下で、多数の細孔を有する多孔質シリコン層と、この多孔質シリコン層の前記細孔の内部を含めた表面に形成され、膜厚が0.01μm以上、10μm以下の熱酸化膜と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/22

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 微細構造発光素子作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-083174   出願人：日本電気株式会社