特許
J-GLOBAL ID：200903093621190079

薄膜サーミスタ素子及びその製造方法

発明者：
足立 美紀

足立 美紀 について

, 
長友 憲昭

長友 憲昭 について

, 
稲場 均

稲場 均 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-139110
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294288
出願日： 2007年05月25日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】 薄膜サーミスタ素子及びその製造方法において、電極とサーミスタ薄膜との付着強度を改善し、電極として十分な抵抗値であると共に耐熱試験においても抵抗値上昇を抑制すること。【解決手段】 Si基板2と、Si基板2上に形成された第1サーミスタ薄膜5A及び第2サーミスタ薄膜5Bと、第1サーミスタ薄膜5A及び第2サーミスタ薄膜5B上に形成された櫛形電極3とを備えた薄膜サーミスタ素子であって、櫛形電極3が、少なくとも第1サーミスタ薄膜5A及び第2サーミスタ薄膜5Bと接触する部分が非晶質状態で成膜された白金又はその合金からなる電極層である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基体と、 前記基体上に形成されたサーミスタ薄膜と、 前記サーミスタ薄膜上に形成された一対の電極と、を備えた薄膜サーミスタ素子であって、 前記一対の電極が、少なくとも前記サーミスタ薄膜と接触する部分が非晶質状態で成膜された白金又はその合金からなる電極層であることを特徴とする薄膜サーミスタ素子。
IPC (2件)：
H01C 7/04 ,  G01K 7/22
FI (2件)：
H01C7/04 ,  G01K7/22 A
Fターム (7件)：
5E034BA09 ,  5E034BB08 ,  5E034DA02 ,  5E034DC02 ,  5E034DE07 ,  5E034DE16 ,  5E034GA06
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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