特許
J-GLOBAL ID：200903054547342613
強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタ、記憶素子、電子素子、メモリ装置及び電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 田中 克郎
, 大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086320
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296735
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】誘電体特性が良くリーク電流も少ない高性能な強誘電体キャパシタを得ることが可能となる技術を提供すること。【解決手段】第1電極及び第2電極の間に強誘電体膜を介在させてなる強誘電体キャパシタの製造方法であって、キャパシタ形成面に第1電極(16)を形成する第1工程と、第1電極(16)上に強誘電体膜(18)を形成する第2工程と、強誘電体膜(18)上に酸素含有膜(20)を形成する第3工程と、酸素含有膜(20)上に第2電極(24)を形成する第4工程と、強誘電体膜(18)の酸素欠損を回復させるための熱処理を行う第5工程と、を含み、第5工程の熱処理において、酸素含有膜(20)から酸素が放出されて当該酸素が強誘電体膜(18)に供給される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1電極及び第2電極の間に強誘電体膜を介在させてなる強誘電体キャパシタの製造方法であって、
キャパシタ形成面に前記第1電極を形成する第1工程と、
前記第1電極上に強誘電体膜を形成する第2工程と、
前記強誘電体膜上に酸素含有膜を形成する第3工程と、
前記酸素含有膜上に前記第2電極を形成する第4工程と、
前記強誘電体膜の酸素欠損を回復させるための熱処理を行う第5工程と、
を含み、前記第5工程の熱処理において、前記酸素含有膜から酸素が放出されて当該酸素が前記強誘電体膜に供給される、強誘電体キャパシタの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F083FR01
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083PR33
