蓄積電荷シンクを用いてMOSFETの線形性を改善することに使用される方法及び装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-521544
公開番号（公開出願番号）：特表2009-500868
出願日： 2006年07月11日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

蓄積電荷シンク(ACS)を用いてMOSFETの線形性を改善する方法及び装置が開示される。この方法及び装置は、SOI型MOSFET内の蓄積電荷を除去、低減あるいはその他の方法で制御し、それによりFET性能の改善をもたらす。典型的な一実施形態において、少なくとも1つのSOI型MOSFETを有する回路は、蓄積電荷レジームで動作するように構成される。SOI型MOSFETのボディに動作可能に結合されたACSが、該FETが蓄積電荷レジームで動作するときの蓄積電荷を排除、除去あるいはその他の方法で制御し、それによりSOI型MOSFETのオフ状態での寄生ソース-ドレイン間容量の非線形性を低減させる。SOI型MOSFETを用いて実現されるRFスイッチング回路において、SOI型MOSFETが蓄積電荷レジームで動作するときの蓄積電荷を除去あるいはその他の方法で制御することによって、高調波歪み及び相互変調歪みが低減される。

請求項（抜粋）：

蓄積電荷制御型のフローティングボディ型MOSFET(ACC型MOSFET)という、当該MOSFETが蓄積電荷レジームで動作しているときの当該MOSFETの非線形応答を制御するように適応されたACC型MOSFETであって: a)フローティングのボディを有するMOSFETであり、選択的に前記蓄積電荷レジームで動作し、前記蓄積電荷レジームで動作するときに前記ボディ内に蓄積電荷が存在するMOSFET;及び b)前記MOSFETの前記ボディに動作可能に結合された蓄積電荷シンク(ACS)であり、前記ボディ内の前記蓄積電荷を除去あるいは制御する蓄積電荷シンク; を有するACC型MOSFET。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H03K 17/00 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , H01L 27/092

FI (6件)：

H01L29/78 622 , H03K17/00 E , H01L27/06 102A , H01L27/08 102B , H01L27/08 321C , H01L29/78 626B

Fターム (57件)：

5F038AV06 , 5F038CD16 , 5F038DF01 , 5F038DF17 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA00 , 5F048AA07 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BD00 , 5F048BD01 , 5F048BE09 , 5F048BE10 , 5F048BF18 , 5F110AA13 , 5F110AA15 , 5F110AA30 , 5F110BB03 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE10 , 5F110EE24 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG24 , 5F110GG34 , 5F110GG60 , 5F110NN71 , 5J055AX04 , 5J055BX02 , 5J055CX03 , 5J055DX22 , 5J055DX72 , 5J055DX83 , 5J055EY00 , 5J055EY01 , 5J055EY10 , 5J055EY21 , 5J055FX12 , 5J055FX17 , 5J055FX35 , 5J055GX01 , 5J055GX02 , 5J055GX04 , 5J055GX07

引用特許：

出願人引用 (2件)

特表昭61-502922
SOI構造の半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-344247 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

特表昭61-502922
SOI構造の半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-344247 出願人：シャープ株式会社

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