特許

J-GLOBAL ID：200903093663235617

シリコン基板上のインダクタ装置及びその製造方法

発明者： 李 興 洙 ,  李 振 孝 ,  劉 賢 奎 ,  金 普 ▲祐▼ ,  南 基 守
出願人/特許権者： 韓國電子通信研究院
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308896
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233727
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 受動素子をシリコン基板に同時に集積してシリコンMMICの特性及び経済性を改善する。【解決手段】 インダクタ金属線の下端部分に位置しているシリコン基板13に配列された2個以上のトレンチ17と、前記トレンチを囲んでいる絶縁膜と、前記絶縁膜で囲まれている前記トレンチの内部に充填された不純物がドープされていない多結晶シリコン領域20と、前記多結晶シリコンの上部及び基板の全面に蒸着された絶縁膜15と、前記絶縁膜上部の所定の部分に形成されたインダクタの第1金属線12と、前記第1金属線及び基板の全面に蒸着された絶縁膜16と、前記絶縁膜の所定の部分を貫通し、第1金属線上部の所定の部分に形成されたビアホール14と、前記ビアホールを埋め込んで前記第1金属線12と連結し、基板の全面に配列される第2金属線11とを含んでなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

インダクタ金属線の下端に位置するシリコン基板に配列された2個以上のトレンチと、前記トレンチを囲んでいる絶縁膜と、前記絶縁膜で囲まれている前記トレンチの内部に充填された不純物がドープされていない多結晶シリコン領域と、前記多結晶シリコンの上部及び基板の全面に蒸着された絶縁膜と、前記絶縁膜上の所定の部分に形成されたインダクタの第1金属線と、前記第1金属線及び基板の全面に蒸着された絶縁膜と、前記絶縁膜の所定の部分を貫通し、第1金属線上部の所定の部分に形成されたビアホールと、前記ビアホールを埋め込んで前記第1金属線と連結し、基板の全面に配列される第2金属線とを含んで構成されることを特徴とするシリコン基板上のインダクタ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 27/04 L ,  H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• インダクタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132498   出願人：株式会社東芝