不揮発性半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-247398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061504
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高温放置状態などの悪条件下でも、チャージリテンションの向上を図り、データ保持特性の向上を図ることができる不揮発性半導体装置およびその製造方法。【構成】フローティングゲート8の上にコントロールゲート12が中間絶縁層10を介して積層してある不揮発性半導体装置において、フローティングゲート8およびコントロールゲート12の側部に、リンがドープしてある領域を有する。半導体基板2上に、ゲート絶縁層6、フローティングゲート8、中間絶縁層10、およびコントロールゲート12を形成した後、半導体基板2の表面に、リンがドープしてあるサイドウォール形成用膜38aをCVD法で形成し、このサイドウォール形成用膜38aを異方性エッチングすることにより、フローティングゲート8およびコントロールゲート12の側部に、リンがドープしてあるサイドウォール30を形成する。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートの上にコントロールゲートが中間絶縁層を介して積層してある不揮発性半導体装置において、フローティングゲートおよびコントロールゲートの側部に、リンがドープしてある領域を有することを特徴とする不揮発性半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-119070
特開昭60-177678
特開平3-050874

全件表示

前のページに戻る