特許

J-GLOBAL ID：200903093673769806

自己整合両面垂直MIMコンデンサ

発明者： ニング,エックス.,ジェイ.
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション
代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-553224
公開番号（公開出願番号）：特表2004-516679
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

コンデンサ誘電体(134)の垂直部の周辺に挟持された第1伝導線(124)及び第2伝導線(136)を含む垂直MIMコンデンサ(140)。追加の伝導線(136)は、両面コンデンサ(142)を形成して静電容量を増加させるために、コンデンサ誘電体(134)のもう一つの垂直部によって分離された直近第1伝導線(124)に垂直に位置しても良い。複数の垂直MIMコンデンサ(140,142)は、静電容量を増加させるために、同時に平行に接続してもよい。

請求項（抜粋）：

絶縁層を形成する工程と、 この絶縁層内の上部に少なくとも一つの第1伝導線を形成する工程と、 この絶縁層内の第1伝導線に隣接する少なくとも一つのトレンチを形成する工程と、 この絶縁層、トレンチ及び第1伝導線上にコンデンサ誘電体を蒸着させる工程と、 前記トレンチを伝導材料で充填して第2伝導線を形成する工程とを有する、金属-絶縁体-金属(MIM)コンデンサを製造する方法。

IPC (2件)：

H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (1件)：

H01L27/04 C

Fターム (5件)：

5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-185263   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-048931   出願人：岩手東芝エレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝