特許
J-GLOBAL ID：200903093680932887

高周波プラズマ処理装置

発明者：
佐護 康実

佐護 康実 について

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池田 真義

池田 真義 について

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土屋 信昭

土屋 信昭 について

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佐藤 久明

佐藤 久明 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025498
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319576
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 VHF帯のようなより高い周波数の高周波を利用する高周波プラズマ処理装置において、電力効率を改善する。【解決手段】 処理チャンバー1内にプロセスガス導入系2によりプロセスガスが導入され、高周波電極3に高周波電源4がVHF帯の高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせてプラズマを形成し、基板9が処理される。基板9を保持する基板ホルダー5は、高周波電極3とともに放電空間を形成する別の高周波電極であり、可変キャパシタンス63を介してアースに接続されている。基板ホルダー5と支柱611で構成される内導体61とそれを取り囲む外導体62とからなる同軸共振器6は、高周波電源4の周波数で直列共振する。電流計7からの信号により可変キャパシタンス63が制御され、共振条件が満足される。
請求項（抜粋）：
処理対象である基板が内部に配置される処理チャンバーと、処理チャンバー内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入系と、処理チャンバー内に設けられた高周波電極と、高周波電極にVHF帯の高周波電圧を印加することで処理チャンバー内に高周波電界を設定して高周波放電を生じさせてプロセスガスのプラズマを形成する高周波電源とを備え、プラズマの作用によって基板に所定の処理を施す高周波プラズマ処理装置であって、前記高周波電極とともに放電空間を形成するよう処理チャンバー内には別の高周波電極が設けられており、この別の高周波電極は可変容量を介してアースに接続されているとともに、この別の高周波電極とその支柱で構成される内導体と、内導体を取り囲む外導体とからなる同軸共振器が設けられており、この同軸共振器は、前記高周波電源の周波数で直列共振するものであることを特徴とする高周波プラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (2件)：
H05H 1/46 R ,  H01L 21/302 C
Fターム (9件)：
5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB17 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004BD07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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