特許
J-GLOBAL ID：200903093715907120
電界放出型電子源素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-272357
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115429
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 電界放出型電子源素子において、電子放出部-ゲート電極間距離を短くすることができ、かつ電子放出部の材料として様々な材料が選択でき、高信頼性や低電圧駆動等の素子特性の改善を図る。【解決手段】 シリコン基板3表面を加工して形成され電界放出の原理に基づいて電子放出する冷陰極であるシリコン突起部1と、シリコン突起部1の周囲上に絶縁層4を介して配置されたゲート電極層5とから構成される電界放出型電子放出素子において、ゲート電極層5の端部がシリコン突起部1先端を取り囲むように突出した形状であり、シリコン基板3の平面方向におけるシリコン突起部1先端とゲート電極層5端部の距離よりもシリコン基板3の平面方向におけるシリコン突起部1先端と絶縁層4端部との距離の方が大きくなるような空間6が設けられると共に、シリコン突起部1先端近傍の表面及びゲート電極層5上に表面コート層2a、2bを配置して電界放出型電子源素子を構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板表面を加工して形成され電界放出の原理に基づいて電子放出する冷陰極であるシリコン突起部と、該シリコン突起部の周囲上に絶縁層を介して配置されたゲート電極層とから構成される電界放出型電子源素子において、前記ゲート電極層の端部が前記シリコン突起部先端を取り囲むように突出した形状であり、前記シリコン基板の平面方向における前記シリコン突起部先端と前記ゲート電極層端部の距離よりも前記シリコン基板の平面方向における前記シリコン突起部先端と前記絶縁層端部との距離の方が大きくなるような空間が設けられると共に、前記シリコン突起部先端近傍の表面及び前記ゲート電極層上に表面コート層が配置されたことを特徴とする電界放出型電子源素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 C
, H01J 9/02 B
