特許

J-GLOBAL ID：200903093731969594

強磁性磁気抵抗素子

発明者： 井上 敬三 ,  金栄 昌明 ,  小木曽 美文 ,  中川 卓二
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134883
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335650
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【構成】絶縁基板1aの上面に強磁性磁気抵抗膜パターンからなる感磁部2aを形成し、感磁部2aの磁化容易軸方向に対し傾斜したハードバイアス膜パターン4aを形成し、これを感磁部2aの磁化容易軸方向に磁場をかけて着磁する。【効果】感磁部2aに対し、その磁化容易軸方向に垂直な成分を有するバイアス磁界が印加されることになり、動作磁界点をシフトさせた強磁性磁気抵抗素子が容易に得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に強磁性磁気抵抗膜パターンを形成し、前記強磁性磁気抵抗膜パターンの一軸異方性の磁化容易軸方向に対して傾斜したハードバイアス膜パターンを、前記絶縁基板上で且つ前記強磁性磁気抵抗膜パターンの近傍に形成したことを特徴とする強磁性磁気抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01D 5/12 ,  G01R 33/06 ,  G11B 5/39

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 膜バイアス磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-057703   出願人：松下電器産業株式会社