特許

J-GLOBAL ID：200903093753279974

強誘電体メモリ

発明者： 島津 ひろみ ,  三浦 英生 ,  熊谷 幸博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-131885
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321810
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】情報蓄積用容量素子が安定に動作する強誘電体メモリ構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極に少なくとも白金膜を使用し、該白金膜上に接するように強誘電体膜を形成し、さらに該強誘電体膜上に上部電極膜が形成されている情報蓄積用容量素子が、Si基板と直接あるいは導電性膜を介して電気的に接続して、前記下部電極が白金膜と他の導電性膜からなる少なくとも2層以上の積層構造からなり、前記下部電極の導電性膜の熱膨張係数が少なくともSi基板より大きく、好ましくは白金より大きな値を持つ材料とする。

請求項（抜粋）：

下部電極に少なくとも白金膜を使用し、該白金膜上に接するように強誘電体膜を形成し、さらに該強誘電体膜上に上部電極膜が形成されている情報蓄積用容量素子が、Si基板と直接あるいは導電性膜を介して電気的に接続している強誘電体メモリにおいて、前記下部電極が白金膜と他の導電性膜からなる少なくとも2層以上の積層構造からなり、前記下部電極の導電性膜の熱膨張係数が少なくともSi基板より大きく、好ましくは白金より大きな値を持つ材料とすることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371