特許
J-GLOBAL ID：200903093758897250
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283424
公開番号（公開出願番号）：特開平10-126005
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】本発明はInP基板上に形成可能な長波長帯の高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、n型InP層である被成長基板2上に、n型InP層であるクラッド層3、InP層である被成長基板2に格子整合し波長1.4μmの少なくともNを含む混晶半導体Ga<SB>a</SB>In<SB>1-a</SB>N<SB>b</SB>As<SB>c</SB>P<SB>1-b-c </SB>(0≦a<1、0<b<1、0≦c<1)層で形成された活性層4、p型InP層であるクラッド層5及びp<SP>+ </SP>型InGaAs層であるキャップ層6が順次積層されたDH構造となっている。活性層4は、Nが添加されことにより、格子定数が小さく、波長が長波長となり、また、Nがその電気陰性度が大きいことにより、バンドキャップエネルギーが小さく、かつ、伝導帯のバンド不連続が大きくなり、従来の材料系であるGaInAsP/InP系材料を用いた発光素子に比べて、注入キャリアのオーバーフローが激減し、温度特性が向上している。
請求項（抜粋）：
発光層とクラッド層、発光層とガイド層とクラッド層、あるいは、発光層とバリア層とガイド層とクラッド層が積層された積層構造からなる半導体発光素子において、前記発光層は、少なくともNを含む混晶半導体Ga<SB>a</SB>In<SB>1-a</SB>N<SB>b</SB>As<SB>c</SB>P<SB>1-b-c </SB>(0≦a<1、0<b<1、0≦c<1)層で形成され、前記積層構造は、InP基板上に形成され、かつ、前記発光層と当該発光層よりもバンドギャップエネルギーの大きい他の層により形成されたヘテロ接合を含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
引用文献：
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