半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308892
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162082
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】素子抵抗が低く、且つ低電圧で駆動することができ、高周波信号に対する応答性に優れた半導体レーザ素子を提供する。【構成】コンタクト層に用いるGaAsとクラッド層に用いるAlGaInPの禁制帯幅のほぼ中間の禁制帯幅を持つAlGaAsバッファ層をクラッド層とコンタクト層の間に形成し、バッファ層のホール濃度を1019cm-3程度としてコンタクト層と同等のホール濃度に設定した。【効果】従来の構造に比べると、素子抵抗を20〜30%低減することができ、駆動電圧を下げるとともに高周波特性が向上し、制御性の優れた半導体レーザ素子を実現できた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第一導電型のクラッド層と、前記クラッド層よりも禁制帯幅が小さい活性層と、第二導電型のクラッド層を順次積層したダブルヘテロ構造を有し、さらに電極とのオーミック接触を得るためのコンタクト層を積層した半導体レーザ素子において、前記コンタクト層と前記クラッド層の間に両者のほぼ中間の禁制帯幅を持つバッファ層を挿入したことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

AlGaAsP半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081174 出願人：シャープ株式会社
特開平3-206679
特開平3-053577

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