半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357648
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254718
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】順方向電圧降下を小さくした新規な構造のダイオードを得ること。【構成】エピタキシャル層2の表面に選択的に形成した第2導電型の領域2と、第1導電型であって不純物濃度が、前記エピタキシャル層2よりも高く、かつ、前記第2導電型の互いに領域2間に形成したオーム接触領域8と、前記第2導電型の領域3とオーム接触領域8とを短絡するダイオードの一方の極性の電極金属5との構成により、同期整流のように複雑な構成によらず、また、現在のSBDの持つ順電圧降下以下の値での順電圧を持つ素子を、縦型二重拡散型MOSFETのような複雑な製造工程を経ることなく得られる。

請求項（抜粋）：

第1導電型のシリコン基板の一方の主面上に形成した該第1導電型と同一導電型のエピタキシャル層と、該エピタキシャル層の表面に選択的に形成した第2導電型の領域と、第1導電型であって不純物濃度が、前記エピタキシャル層よりも高く、かつ、前記第2導電型の互いに領域間に形成したオーム接触領域と、前記第2導電型の領域と前記オーム接触領域とを短絡するダイオードの一方の極性となる電極金属と、前記シリコン基板の他方の主面にダイオードの他方の極性となる電極金属と、を有することを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/91 C , H01L 29/91 K

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭56-037683
特開昭60-074582
特開昭59-143370

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