特許
J-GLOBAL ID：200903093799240797
保護絶縁膜を成膜する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-245739
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087722
出願日： 1997年09月10日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 Ioffを低減できる保護絶縁膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタアレイ基板の表面が保護絶縁膜で覆われてなる薄膜トランジスタアレイ基板の該保護絶縁膜の成膜方法であって、該薄膜トランジスタアレイ基板を所定の温度に加熱した後、第1の成膜室において240Å/分以上300Å/分以下の第1の成膜速度で該薄膜トランジスタアレイ基板の表面に保護絶縁膜を成膜した後に370Å/分以上450Å/分以下の第2の成膜速度で成膜し、その後薄膜トランジスタアレイ基板を第2の成膜室へ搬送し、370Å/分以上450Å/分以下の第2の成膜速度で成膜する方法である。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタアレイ基板を所定の温度に加熱した後、第1の成膜室において240Å/分以上300Å/分以下の第1の成膜速度で該薄膜トランジスタアレイ基板の表面に保護絶縁膜を成膜した後に370Å/分以上450Å/分以下の第2の成膜速度で保護絶縁膜を成膜し、その後、該薄膜トランジスタアレイ基板を第2の成膜室へ搬送し、前記第2の成膜速度で保護絶縁膜を成膜する方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/136 500
, H01L 21/318
, H01L 21/336
H01L 29/78 619 A
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/136 500
, H01L 21/318 B
, H01L 29/78 627 B
