特許
J-GLOBAL ID：200903093818852863
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-099315
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297753
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】半導体チップとリードの隙間に封止樹脂を注入する必要のない、金錫共晶合金を含む金錫接合接続部の劣化を防止する。半導体チップとリードとを金錫共晶合金で金錫接合接続する半導体装置を得る。【解決手段】半導体チップの主面上に形成された複数の外部電極を有する半導体チップと、デバイスホールを有しない絶縁基材に配置されたリードを有する配線基板とを有し、外部電極とリードの接続部とが電気的に接続され、該接続部が樹脂塗料もしくは樹脂テープによる樹脂層で封止されてなる半導体装置であって、前記外部電極とリードの接続部がそれぞれ金もしくは錫からなり、その金錫接合接続からなる。
請求項（抜粋）：
半導体チップの主面上に形成された複数の外部電極を有する半導体チップと、デバイスホールを有しない絶縁基材に配置されたリードを有する配線基板とを有し、前記複数の外部電極と前記リードのインナーリードの接続部とが接合で接続され、該接続部が樹脂塗料もしくは樹脂テープによる樹脂層で封止されてなる半導体装置であって、前記外部電極とインナーリードの接続部がそれぞれ金もしくは錫からなり、該金と錫による金錫接合で接続されてなることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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