特許

J-GLOBAL ID：200903093837318800

デバイスおよびその構造部分の配置方法

発明者： 光地 哲伸
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257651
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077319
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 デバイスの集積度を向上させ、特性を安定化させる。【解決手段】 微細ストライプパターンの一部または全部からなる第1の微細線パターンおよび第1の微細線パターンと実質直交する向きの微細ストライプパターンの一部または全部からなる第2の微細線パターンを前記微細ストライプパターンの解像が可能な第1の露光方式により、かつ所定のマスクパターンを前記第1の露光方式より解像度の低い第2の露光方式により被露光基板上に重ね焼きし、該被露光基板上に前記微細線パターンの線幅に相当する最小線幅を有するパターンを形成する多重露光工程を含む複数の工程によりデバイスを製造する際、デバイスの特定の構造部分を前記多重露光工程において前記第1および第2の微細線パターンならびに前記マスクパターンにより重複して露光される部分に配置する。

請求項（抜粋）：

微細ストライプパターンの一部または全部からなる第1の微細線パターンおよび第1の微細線パターンと実質直交する向きの微細ストライプパターンの一部または全部からなる第2の微細線パターンを前記微細ストライプパターンの解像が可能な第1の露光方式により、かつ所定のマスクパターンを前記第1の露光方式より解像度の低い第2の露光方式により被露光基板上に重ね焼きし、該被露光基板上に前記微細線パターンの線幅に相当する最小線幅を有するパターンを形成する多重露光工程を含む複数の工程により製造されたデバイスであって、前記デバイスの特定の構造部分が前記多重露光工程において前記第1および第2の微細線パターンならびに前記マスクパターンにより重複して露光される部分に配置されていることを特徴とするデバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/30 502 C ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 301 Y

Fターム (18件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033KK01 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ37 ,  5F033UU01 ,  5F040DA14 ,  5F046AA13 ,  5F046BA08 ,  5F046CA04 ,  5F046DA02 ,  5F046DA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フォトレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-016763   出願人：株式会社リコー