特許
J-GLOBAL ID:200903093844439508

充放電保護回路及びバッテリーパック

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 瀧野 秀雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-160948
公開番号(公開出願番号):特開平11-103528
出願日: 1998年06月09日
公開日(公表日): 1999年04月13日
要約:
【要約】【課題】 高耐圧特性が要求されるトランジスタを限定的に高耐圧構造とし、高耐圧が要求されない他のトランジスタは全て低耐圧構造とすることによってチップ面積の縮小を計り、回路規模が小さくかつ高耐圧特性を有する充放電保護回路を実現すること。【解決手段】 充放電保護回路は、レベルシフト回路を構成するトランジスタのうち、ソースレベルあるいはドレインレベルとして高電圧を受ける可能性があるトランジスタが高耐圧構造を有する。
請求項(抜粋):
2次電池及び充電器に接続され、2次電池を過充電状態、過放電状態または過電流状態から保護する充放電保護回路であって、2次電池の充電状態を監視し過充電検出信号を生成する過充電検出回路と、過充電検出回路から過充電検出信号を受け取り充電制御信号を生成するレベルシフト回路と、2次電池の放電状態を監視し過放電検出信号を生成する過放電検出回路と、2次電池における過電流状態を検知し過電流検出信号を生成する過電流検出回路と、過放電、過電流の検出時のディレイ時間を設定するディレイ回路と、短絡状態を検知し短絡検出信号を生成する短絡検出回路と、充放電保護回路を静電気から保護するための複数の保護ダイオードを有すると共に、前記レベルシフト回路を構成するトランジスタのうち、ソースレベルあるいはドレインレベルとして充電器からの比較的高い電圧を受ける可能性があるトランジスタが高耐圧構造を有することを特徴とする充放電保護回路。
IPC (4件):
H02J 7/00 ,  H01L 29/78 ,  H01M 10/44 ,  H02H 7/20
FI (4件):
H02J 7/00 A ,  H01M 10/44 P ,  H02H 7/20 F ,  H01L 29/78 301 G
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 充電式電源装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-021676   出願人:セイコーインスツルメンツ株式会社
  • 電池パック
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-129079   出願人:ソニー株式会社

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