特許
J-GLOBAL ID：200903093846222859
軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364294
公開番号（公開出願番号）：特開2000-187808
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 従来下部コア層及び上部コア層は、比較的飽和磁束密度の高いCoFeNi合金等で形成されていたが、CoFeNi合金は比抵抗が低いために、記録周波数が高くなると、渦電流損失が増加するといった問題があった。【解決手段】 下部コア層15及び/または上部コア層20を、CoFeNiX(Xは、S,Pなど)合金で形成する。CoFeNiX合金は、CoFeNi合金に比べ、高い飽和磁束密度、高い比抵抗、及び低い保磁力を有する。したがって、今後の高記録密度化、高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
請求項（抜粋）：
組成式がCoqFebNicXdで示され、元素Xは、S、P、B、C、Nのいずれかから選択される1種類または2種類以上の元素を表し、また全組成元素中に占める元素Xの組成比dは、0.5wt%から2wt%の範囲内であり、しかも組成比dを除く残部を100wt%とした場合に、組成比aは、0wt%より大きく40wt%以下の範囲内、組成比bは、20wt%以上100wt%より小さい範囲内、組成比cは、0wt%より大きく40wt%以下の範囲内であることを特徴とする軟磁性膜。
IPC (3件)：
G11B 5/31
, G11B 5/127
, H01F 10/16
G11B 5/31 C
, G11B 5/127 K
, H01F 10/16
5D033BA03
, 5D033DA04
, 5D093BD01
, 5D093BD08
, 5D093FA12
, 5D093HA13
, 5D093JA01
, 5E049AA01
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA12
