特許
J-GLOBAL ID：200903093850729704
シリコン膜の結晶化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002267
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199808
出願日： 1997年01月09日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 液晶ディスプレイのスイッチング素子としてのポリシリコン形TFTのシリコン膜をレーザーアニールにより結晶化する方法において、均一かつ等方的に結晶化できるとともにスループットの低下を防止できる方法を提供する。【解決手段】 レーザーを、長手方向の長さがガラス基板1の長辺の長さ以上であるライン状のビームLに整形する。このビームLでまずガラス基板1の長辺方向にシリコン膜6をスキャンし、続いてこのビームLでガラス基板1の長辺方向に直交する方向にシリコン膜6をスキャンする。
請求項（抜粋）：
シリコン膜をレーザーアニールにより結晶化するシリコン膜の結晶化方法において、レーザーを、長手方向の長さが前記シリコン膜の存在する領域の長辺の長さ以上であるビームに整形するステップと、前記ビームにより所定の方向に前記シリコン膜をスキャンするステップと、前記ビームにより前記所定の方向に略直交する方向に前記シリコン膜をスキャンするステップとを含んだことを特徴とするシリコン膜の結晶化方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268 F
