特許

J-GLOBAL ID：200903093858599249

障壁金属膜の形成方法

発明者： ▲呉▼ 在應 ,  李 相▲忍▼ ,  朴 昌洙
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-280932
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135155
出願日： 1997年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 低い比抵抗を有し、900°Cの熱処理工程にも非晶質状態を保ち得る障壁金属膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板を洗浄する段階と、洗浄された半導体基板をCVD装備のチャンバー内に投入する段階と、洗浄された半導体基板が投入されたチャンバー内に水素プラズマ及び有機金属化合物気体を注入して反応させることにより、洗浄された半導体基板上に金属窒化膜を蒸着する段階とを含む方法とした。

請求項（抜粋）：

障壁金属膜の形成方法において、半導体基板を洗浄する段階と、前記洗浄された半導体基板をチャンバー内に投入する段階と、前記洗浄された半導体基板が投入されたチャンバー内に水素プラズマ及び有機金属化合物気体を注入して反応させることにより、前記洗浄された半導体基板上に金属窒化膜を蒸着する段階とを含むことを特徴とする障壁金属膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマCVD方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-139765   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-162576