特許
J-GLOBAL ID：200903093890900490
電子デバイス用基板の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、電子デバイスおよび電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
増田 達哉
, 朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-047819
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211068
出願日： 2007年02月27日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】経時的な特性の劣化が抑制された電子デバイス用基板の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、かかる電子デバイス用基板を備え、特性の経時的劣化を抑制した電子デバイスならびに信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、基板2上に、無機酸化物を主材料として構成される陽極(電極)3を形成する第1の工程と、陽極3に接触するように、スルホン酸基を有するキャリア輸送材料を主材料として構成される有機層41を形成する第2の工程と、有機層41に対して、キャリア輸送材料からスルホン酸基の少なくとも一部を離脱させる脱スルホン酸化処理を施すことにより正孔輸送層(キャリアを輸送する機能を有する層)4を得る第3の工程とを有するものである。また、キャリア輸送材料としては、PEDOT/PSSを用いるのが好ましい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に、無機酸化物を主材料として構成される電極を形成する第1の工程と、
前記電極に接触するように、スルホン酸基を有するキャリア輸送材料を主材料として構成される有機層を形成する第2の工程と、
前記有機層に対して、前記キャリア輸送材料から前記スルホン酸基の少なくとも一部を離脱させる脱スルホン酸化処理を施すことによりキャリアを輸送する機能を有する層を得る第3の工程とを有することを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05B33/22 D
, H05B33/10
, H05B33/14 A
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC21
, 3K107DD22
, 3K107DD46X
, 3K107DD71
, 3K107DD79
, 3K107FF14
, 3K107FF17
, 3K107GG26
, 3K107GG28
