特許
J-GLOBAL ID:200903056010866538
液晶化合物薄膜の配向制御方法及びこれを用いて形成された液晶化合物薄膜の膜構造、薄膜トランジスタ並びに有機エレクトロルミネッセンス素子
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-374800
公開番号(公開出願番号):特開2005-142233
出願日: 2003年11月04日
公開日(公表日): 2005年06月02日
要約:
【課題】棒状液晶化合物において、配向膜のラビングによることなくその配列を任意に制御し、膜厚方向及び膜面に平行な特定方向の導電性を大幅に高める手段を提供する。 【解決手段】基材表面に棒状液晶化合物をPVD法により斜方蒸着して蒸着膜を形成した後、該蒸着膜をこの化合物のスメクチック相の温度域で熱処理する。また、PVD法として真空蒸着法で斜方蒸着する。さらに、上記の熱処理を、蒸着対象の液晶化合物のスメクチック相温度域の高温側1/2の温度範囲内で行なう。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材表面に長い直線的共役構造部分を有する棒状液晶化合物をPVD法により斜方蒸着して蒸着膜を形成した後、該蒸着膜をこの化合物のスメクチック相の温度域で熱処理することを特徴とする液晶化合物薄膜の配向制御方法。
IPC (5件):
H01L51/00
, H01L29/786
, H05B33/10
, H05B33/14
, H05B33/22
FI (5件):
H01L29/28
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/22 D
, H01L29/78 618B
Fターム (14件):
3K007DB03
, 3K007FA01
, 5F110AA01
, 5F110CC03
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE02
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF27
, 5F110GG01
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK32
引用特許: