特許

J-GLOBAL ID：200903093913632390

イメージセンサ構造及びその製造方法

発明者： 松野 文彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034635
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232215
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 製造工程を煩雑化することなく、コンタクト形成時の下地へのダメージを抑制したイメージセンサ構造及びその製造方法の提供。【解決手段】 薄膜トランジスタ部を覆う第1の層間膜5と、第1の層間膜5及び受光素子部を覆う第2の層間膜11とを有するイメージセンサにおいて、第1及び第2の層間膜が各々異なる材料で構成されており、少なくとも薄膜トランジスタのポリシリコンからなるコンタクト形成部の第2の層間膜が除去された後に該コンタクトが形成される。

請求項（抜粋）：

透明基板上に形成された薄膜トランジスタ部、該薄膜トランジスタ部を覆って形成された第1の層間膜、該第1の層間膜上に受光素子であるフォトダイオード部及び、該フォトダイオード部及び第1の層間膜上に形成される第2の層間膜とを有するイメージセンサにおいて、前記第1の層間膜と第2の層間膜とは異なる材料で構成されており、少なくとも前記薄膜トランジスタのポリシリコンからなる構成部材へのコンタクトが、該コンタクト形成予定部周辺の前記第2の層間膜を除去した後に形成されたものであるイメージセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 1/028

FI (2件)：

H01L 27/14 C ,  H04N 1/028 Z

Fターム (22件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118EA14 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  4M118FB26 ,  5C051AA01 ,  5C051BA02 ,  5C051DA03 ,  5C051DB01 ,  5C051DB04 ,  5C051DB05 ,  5C051DB06 ,  5C051DB08 ,  5C051DB18 ,  5C051DC02 ,  5C051DC03 ,  5C051DC07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• イメージセンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196832   出願人：富士ゼロツクス株式会社