特許

J-GLOBAL ID：200903093925992635

集積回路構造から、フォトレジストおよびポリシリコン/ポリサイドエッチング残渣を同時に取り除く方法

発明者： グラハム ダブリュー. ヒルズ ,  ルース イー. バックナル
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-258383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169751
出願日： 1994年10月24日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ポリシリコンとポリサイドの両方ともまたはいずれか一方のエッチングから,基板上に残るフォトレジストとシリコン酸化物のようなエッチング残渣を同時に取り除くためのプラズマエッチングプロセスを提供する。【構成】 (a)エッチングチャンバの上流のプラズマ発生器において、(i)酸素、水蒸気、またはそれらの混合物、および(ii)一または二以上のフッ素含有エッチャントガスを有するエッチングガスからラジカルを発生させ、そのラジカルを用いてパターン形成されたポリサイド上のフォトレジスト及びポリサイド側壁上に残っているエッチング残渣の両方を単一エッチングステップで取り除くために、エッチングチャンバ内で発生したラジカルに基板を接触させる。

請求項（抜粋）：

先行(prior) するポリシリコン及び/又は(and/or)ポリサイドのエッチングから残留するフォトレジストおよびエッチング残渣(residues)を同時に取り除くプラズマエッチングプロセスであって、(a)(i)酸素、水蒸気、またはそれらの混合物;と(ii)一または二以上のフッ素含有エッチャントガス(fluorine-containing etchant gases) を;有するエッチングガスから、エッチングチャンバの上流(upstream)のプラズマ発生器内でラジカルを発生させるステップと;(b)その後前記先行したエッチングからの前記フォトレジストとエッチング残渣を含む基板を、前記エッチングチャンバ内で発生させた前記ラジカルと接触(contacting)させるステップを含み、前記フォトレジストと前記エッチング残渣の両方を除去するプラズマエッチング方法。

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-049425
  
• エツチング方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-212491   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-051520
  
• 特開平2-090521