特許
J-GLOBAL ID：200903093930039555
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-138528
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332494
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】 アンダーフィル封止とオーバーコート封止の2ステップの樹脂封止に伴う作業性の低下、コストアップ等の問題点を解消する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂封止は、半導体チップ表面及び半導体チップとインターポーザとの隙間を含め、封止樹脂として単一の液状樹脂を用いて行う。まず、樹脂を大気圧下にて印刷、ポッティング工法等により一括塗布した後、負圧下にて、塗布時に巻き込んだ気泡や半導体チップとインターポーザとの隙間に閉じ込められた気泡を除去する。その後、高温にて樹脂硬化を行う。
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップを、該半導体チップの一主面に形成された金属突起電極を介してインターポーザ上に設けられた回路配線にそれぞれ接続する第1工程と、該インターポーザ上に接続された前記半導体チップ表面及び該半導体チップと前記インターポーザとの間隙に液状樹脂を充填し、脱泡した後、加熱処理を行い、樹脂を硬化させ、複数の前記半導体チップを前記インターポーザ上に一括封止する工程と、前記インターポーザ及び前記封止樹脂を切断し、個々の半導体装置に個片化する第3工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12 501
, H01L 23/12
, H01L 21/60 311
H01L 23/12 501 T
, H01L 23/12 501 B
, H01L 23/12 501 S
, H01L 21/60 311 Q
5F044LL01
, 5F044LL11
, 5F044RR17
, 5F044RR18
, 5F044RR19
