特許
J-GLOBAL ID：200903093942397600
シリコン単結晶の欠陥制御法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村上 友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088101
公開番号（公開出願番号）：特開平10-316493
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：
【要約】【課題】 引き上げ中に発生する欠陥の密度を任意の熱履歴に対して予測し、欠陥抑制効果の高いシリコン単結晶の欠陥制御方法を得る。【解決手段】 シリコン単結晶の引き上げに際して、シリコン単結晶内の原子空孔のクラスタの形成エネルギから空孔クラスタの核形成速度を求める。原子空孔および格子間シリコンの前記クラスタへの流入量の偏差に基づきクラスタの成長収縮を求め、クラスタの成長を抑制するように引き上げ速度若しくは炉内温度分布の修正をなしてシリコン単結晶の成長欠陥を抑制させてシリコン成長をなすように構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶の引き上げに際して、シリコン単結晶内の原子空孔のクラスタの形成エネルギから空孔クラスタの核形成速度を求め、原子空孔および格子間シリコンの前記クラスタへの流入量の偏差に基づきクラスタの成長収縮を求め、クラスタの成長を抑制するように引き上げ速度若しくは炉内温度分布の修正をなしてシリコン単結晶の成長欠陥を抑制させてシリコン成長をなすことを特徴とするシリコン単結晶の欠陥制御方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
