特許
J-GLOBAL ID：200903086791034695
シリコン単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148939
公開番号（公開出願番号）：特開平8-012493
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：
【要約】【目的】ウェーハ面内の酸素析出物の密度の低減を図り、酸化膜耐圧特性等の結晶品質に優れたシリコン単結晶の製造方法を提供する。【構成】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する方法において、結晶成長速度をfp(mm/min)とし、シリコンの融点から1300°Cまでの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をG(°C/mm )としたとき、fp/Gで表される係数を0.25mm2/°C・min 以上にして、かつ1150°Cから1000°Cまでの温度範囲における冷却速度を 2.0°C/min以下として結晶成長を行わせることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する方法において、結晶成長速度をfp(mm/min)とし、シリコンの融点から1300°Cまでの温度範囲における結晶軸方向の温度勾配をG(°C/mm )としたとき、fp/Gで表される係数を0.25mm2/°C・min 以上にして、かつ1150°Cから1000°Cまでの温度範囲における冷却速度を 2.0°C/min以下として結晶成長を行わせることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/00
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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