特許
J-GLOBAL ID：200903093962131950
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048534
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244205
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて、結晶性の制御をおこなうことによって、その信頼性、歩留りを向上させる方法を提供する。【構成】 島状のアモルファスシリコン膜上にゲイト電極を形成し、これをマスクとして不純物を注入し、この不純物領域の一部に密着させてニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つを含有する被膜を形成し、純粋なるアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度でアニールすることによって、これを出発点として結晶化を進展させ、不純物領域およびチャネル形成領域を結晶化させる。
請求項（抜粋）：
島状の半導体領域上にゲイト絶縁膜とゲイト電極を形成する第1の工程と、前記ゲイト電極をマスクとして前記半導体領域に不純物を導入する第2の工程と、前記半導体領域の一部にニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つを含有する物体を密着させる第3の工程と、これをアニールする第4の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
