特許

J-GLOBAL ID：200903093995846296

エピタキシャルウェハおよびその製造方法

発明者： 松原 秀樹 ,  高岸 成典 ,  三浦 祥紀 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-018707
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188498
出願日： 1995年01月10日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 高性能のエピタキシャルウェハ、およびそれを低コストで工業的に製造できる方法を提供する。【構成】 面方位が(111)B面から微傾斜させた面を有するGaAs基板と、基板の当該面上に形成されたGaNからなるバッファ層と、バッファ層上に形成されたGaNまたはGaInNを含むエピタキシャル層とを備える。バッファ層およびエピタキシャル層は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により形成される。

請求項（抜粋）：

面方位が(111)B面から微傾斜させた面を有するGaAs基板と、前記基板の前記面上に形成されたGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたGaNまたはGaInNを含むエピタキシャル層とを備える、エピタキシャルウェハ。

IPC (6件)：

C30B 29/40 ,  C30B 25/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-088318
  
• 窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-320804   出願人：日本電気株式会社