特許
J-GLOBAL ID：200903093995846296
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-018707
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188498
出願日： 1995年01月10日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 高性能のエピタキシャルウェハ、およびそれを低コストで工業的に製造できる方法を提供する。【構成】 面方位が(111)B面から微傾斜させた面を有するGaAs基板と、基板の当該面上に形成されたGaNからなるバッファ層と、バッファ層上に形成されたGaNまたはGaInNを含むエピタキシャル層とを備える。バッファ層およびエピタキシャル層は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により形成される。
請求項（抜粋）：
面方位が(111)B面から微傾斜させた面を有するGaAs基板と、前記基板の前記面上に形成されたGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたGaNまたはGaInNを含むエピタキシャル層とを備える、エピタキシャルウェハ。
IPC (6件)：
C30B 29/40
, C30B 25/00
, H01L 21/205
, H01L 27/12
, H01L 33/00
, H01S 3/18
