特許
J-GLOBAL ID：200903094024044831
炭化珪素単結晶膜の製造方法および炭化珪素単結晶膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
細田 益稔
, 青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-065230
公開番号（公開出願番号）：特開2005-255420
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】炭化珪素単結晶膜を種結晶上に育成するのに際して、得られた炭化珪素単結晶膜を種結晶から切断する必要性をなくすることである。【解決手段】 炭化珪素単結晶からなる種結晶1上にグラファイト層2を設け、グラファイト層2上に炭化珪素単結晶膜3を気相法によって生成させる。好ましくは、グラファイト層2を除去することによって、種結晶1と炭化珪素単結晶膜3とを分離する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶からなる種結晶上にグラファイト層を設け、このグラファイト層上に炭化珪素単結晶膜を気相法によって生成させることを特徴とする、炭化珪素単結晶膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077ED01
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
