特許
J-GLOBAL ID：200903094027951686
相変化記憶素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-357121
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019683
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 相変化膜の相変化に必要な電流量を低めることができる相変化記憶素子及びその製造方法を開示する。【解決手段】 所定下部構造を具備した半導体基板上に形成し基板所定部分を露出させる第1コンタクトホールを有した第1絶縁膜、第1コンタクトホールを埋込む導電プラグ、第1絶縁膜上に形成し導電プラグ間の基板一部を露出させる第2コンタクトホールを有した第2絶縁膜、第2絶縁膜上に形成し第2コンタクトホールを埋込むビットライン、第2絶縁膜上に順次形成し導電プラグを露出させる第3コンタクトホールを有した第3絶縁膜、第4絶縁膜、及び窒化膜、第3コンタクトホールを埋込む下部電極、下部電極間の第3絶縁膜の所定部分を露出させる開口部、開口部と連結し下部電極側壁一部を露出させるキャビティ部、開口部とキャビティ部を埋込み下部電極一側と連結する相変化膜パターン、相変化膜パターン上に形成された上部電極を有する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
その上面に所定の下部構造が具備された半導体基板上に形成され、前記半導体基板の所定部分を露出させる複数の第1コンタクトホールを有した第1絶縁膜と、
前記第1コンタクトホールを埋め込む導電プラグと、
前記導電プラグを含んだ前記第1絶縁膜上に形成され、前記導電プラグ間の半導体基板の一部を露出させる第2コンタクトホールを有した第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第2コンタクトホールを埋め込むビットラインと、
前記ビットラインを含んだ前記第2絶縁膜上に順次形成されて前記導電プラグを露出させる複数の第3コンタクトホールを有した第3絶縁膜、第4絶縁膜、及び窒化膜と、
前記第3コンタクトホールを埋め込む複数の下部電極と、
前記窒化膜及び第4絶縁膜内に形成され、前記下部電極間の前記第3絶縁膜の所定部分を露出させる開口部と、
前記開口部と連結されて前記下部電極の側壁の一部を露出させるキャビティ部と、
前記開口部及びキャビティ部を埋め込み前記下部電極の一側と連結される相変化膜パターンと、
前記相変化膜パターン上に形成された上部電極とを有することを特徴とする相変化記憶素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR05
, 5F083PR06
