特許

J-GLOBAL ID：200903094035714774

多層配線基体の製造方法および多層配線基体

発明者： 畑中 康道 ,  多田 和弘 ,  藤岡 弘文 ,  岩崎 俊寛 ,  山田 聡 ,  木村 通孝 ,  上田 直人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111438
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298146
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップ、配線基板等の配線基体をバンプを介して相互に接続し熱硬化性樹脂で固着して多層配線基体を製造する方法において、電気的接続の信頼性を向上する。【解決手段】 相対する位置にバンプ11、12が形成された両配線基体9、10を熱硬化性樹脂層13を介在させて加熱状態で互いに圧接し、超音波振動を印加してバンプ11、12接合部に固相拡散層を形成することにより両配線基体9、10を接合する際、上記圧接から固相拡散層形成による接合完了まで、熱硬化性樹脂層13の粘度を0.3〜100Pa・sに保持してゲル化しないようにして、接合部に熱硬化性樹脂層13を噛み込むことなく、また超音波振動を減衰させることなく良好な接合を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子、配線基板等から成る2枚の配線基体を、該配線基体表面の相対する位置に配設された電極間を相互にバンプを介して接続し、上記配線基体間に介在する熱硬化性樹脂層により固着した多層配線基体の製造方法において、上記配線基体表面の上記電極上に上記バンプを形成する第1の工程と、上記熱硬化性樹脂層を上記配線基体上に形成する第2の工程と、上記両配線基体を加熱状態で互いに圧接し、上記バンプとその対向部との接触部に超音波振動を印加して固相拡散による接合部を形成することにより上記両配線基体を接合する第3の工程と、その後、上記熱硬化性樹脂層を硬化させる第4の工程とを備え、上記第3の工程での上記両配線基体の接合時に、上記熱硬化性樹脂層の粘度が0.3〜100Pa・sであり、固相拡散による上記接合部の形成完了まで該熱硬化性樹脂層がゲル化しないことを特徴とする多層配線基体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-136941   出願人：三菱電機株式会社