特許
J-GLOBAL ID：200903035311492342
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-136941
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335373
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子と配線基板との接続を行う場合、生産性が悪いという問題点があった。【解決手段】 電極11を有する配線基板10上に、電極11を覆う樹脂にてなる接着剤12を配設し、接着剤12を所望の粘度とし、電極11と相対する突起電極9を有する半導体素子8と配線基板10とを加熱状態にて圧接して、電極11と突起電極9とを接触させ、電極11と突起電極9との接触箇所に超音波振動を印加し、接触箇所に固相拡散にて成る接合部13を形成して半導体素子8と配線基板10とを接合し硬化させて接着剤12aとする。
請求項（抜粋）：
電極を有する配線基板上に、上記電極を覆う樹脂にてなる接着剤を配設する工程と、上記接着剤を所望の粘度とし、上記電極と相対する突起電極を有する半導体素子と上記配線基板とを加熱状態にて圧接し、上記電極と上記突起電極とを接触させ、上記電極と上記突起電極との接触箇所に超音波振動を印加し、上記接触箇所に固相拡散にて成る接合部を形成して、上記半導体素子と上記配線基板とを接合する工程と、上記接着剤を硬化させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/607
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/607 A
