特許
J-GLOBAL ID:200903094038403265
イオン窒化プラズマCVD法による硬質膜の形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-285951
公開番号(公開出願番号):特開平7-118850
出願日: 1993年10月20日
公開日(公表日): 1995年05月09日
要約:
【要約】【目的】プラズマCVD法により形成する被膜の密着性、耐久性の向上。【構成】金属部材を所定の温度に保持し、アンモニアガスと水素ガス等の雰囲気下で適正な電流密度でイオン窒化処理を行う。このイオン窒化処理面にプラズマCVD法により硬質膜を形成する。【効果】金属部材の表面粗度をほとんど変化させることなく、厚い拡散層を形成することができるので、この上にプラズマCVD法により形成される硬質膜は高い密着性や耐久性を有する。複雑な表面形状や、表面に細密な溝等を有する金属部材に対しても表面全体に高密着性や高耐久性の硬質被膜を均一に形成することができる。
請求項(抜粋):
金属部材を300〜650°Cの温度に保持し、アンモニアガスと水素ガスを用い、金属部材の表面に対して0.001〜2.0mA/cm2の電流密度のグロー放電を行い金属部材の表面をイオン窒化した後、該イオン窒化処理面の上にプラズマCVD法により硬質膜を形成することを特徴とするイオン窒化プラズマCVD法による硬質膜の形成方法。
IPC (3件):
C23C 16/02
, C23C 8/36
, C23C 16/50
引用特許:
審査官引用 (3件)
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金属窒化物被膜の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-295586
出願人:株式会社ライムズ
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特開昭55-031139
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特開昭55-032969
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